UP dated 2026.10.10
ワンボード(100mmx97mm) モノバンドトランシーバーを計画していて、その終段トランジスタを何にしようかとWebsiteを物色した。
使い慣れたものでは、小型SOT89型の RD00HVS1（出力0.8W）これでは少し出力がたりない。Webを検索するとRQA0009SXTL（RENESAS,出力6W）での試作例があったので、これが良いと思い、早速アリエクで購入し、テスト基板に組み込んだ。
電源投入すると実験電源最大の1.5Aが流れ、安全回路が作動してしまった。FETチップをテスターで当たると、ピンアサイン1;G、2;S、3:Dであるはずが、試作供試品は、1;G、2;D、3:S。まったくの中華偽造品に当たってしまった。2社購入して2社とも同様であった。 最安価なものを選んだのがわざわいしたのか、外見は、新品でテープ梱包品であったが、・・・
RQA0009SXTLは、ショップの写真のみでは、真偽の判断が難しく、ほぼそれと同等とうたわれていた別のHTL7G06S006P（出力6W）にした。これは、中国蘇州のメーカ純正品で、もとが中華製であれば、自国内でのにらみにより、そのFAKE品は出にくいのではないかと思い、安価であったが、それを購入した。以下はその試作前実験結果、。
下左写真；SOT-89パッケージ、HTL7G06S006P（刻印；H0606E）
下右写真；OP18 miniTX基板余剰品に HTL7G06S006Pを半田付けし、放熱は、銅板0.3tx20x20mmを チップソース端子にしっかり半田付けし、その上に、導伝グリスを塗り、アルミ板40x40mmを3ｍｍビスで圧着固定
上回路図の左は、ドレイン負荷インピーダンス50Ωなので、出力は最大1.5Wで頭打ちとなる。右は、ドレイン負荷インピーダンス22.2Ωで最大出力3.5W。
7Mバンド 出力34.7dBm(3W)時 の消費電流は400mAで、効率は、60％。放熱のアルミ板はかなり熱く(80℃程度)なる。 このFETを終段の3Wトランシーバーとするには、いかにうまく放熱するかというのが課題になりそうだ。
7Mバンド入力-10dBm〜+5dBmで ドレイン負荷、50Ω(青)と 22.2Ω(赤)での 入力(dBm)vs.出力(dBm) が左グラフ。
入力0dBm で出力は、両者ともに概ね+32dBmなので パワーゲインは、30dBを超えている。
直線ではなく、なだらかな曲線なので、リニアリティーは、あまりよくない。このＦＥＴは、FMを主目的に開発されたのか？アマチュア無線用のＳＳＢ用途であれば特段問題ないレベルかとは思うが。
入力一定+/-0dBmで 3.5M〜50Mバンドでの出力を測定した。赤色がHTL7G06S006P(負荷22.2Ω)。 青色がRD00HVS1(負荷200Ω)。
青色RD00HVS1は、全バンドに亘り、一定ゲイン(25dB)で 高域50MHzでのゲイン低下がない。(3.5Mが下がるのは、終段トランスのインダクタンス不足による)
赤色HTL7G06S006Pは、3.5Mバンドでゲイン32dB であったものが、50Mバンドでは、21dBで、高域でのゲイン低下が大きい。それなりに入力を増やせば、3Wは出力できる
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