●TRX基板　ブロックダイアグラム

実験用TRXの　ブロック系統図は、下図のとおりです。

RXとしてのﾌﾞﾛｯｸﾀﾞｲｱｸﾞﾗﾑは、左図のとおり。
　左側のNE602には、PLLからの局発信号を、右側のNE602には、プロダクト検波のキャリア(12MHz)を注入する。 　

各ポイントの　ゲイン、信号レベルの計算値を併記しているが、S1(-120dBm)の信号受信の感度がある。

　このままでも　7MHz帯では十分実用的であるが、できれば、IF段、XFの後に、RX時専用の +20dB程度のアンプを入れたい。　　


TXとしてのブロックダイアグラムは、左図のとおり。
　受信の時とは逆に、左側のNE602には、SSBのキャリア(12MHz)を注入、右側のNE602には、PLLからの局発信号を注入する。

出力250mWと記載しているが、7MHｚバンドの試作機では、500mWの出力を確認した。

このままでも　右側のNE602への　IF(12MHz)信号レベルは高く、飽和寸前なので、右のNE602の直前にアンプをいれることはできない。
RX時はアンプがほしいが、TX時には入れることができない、という系統になる。

●回路図

実験用TRXの回路図は、下図のとおりです。局発、12MHzキャリア注入は、リレーにより、送受に合わせ、テレコにしている。

●TRX基板 の調整の勘どころ、

1) 12MHzキャリア周波数の調整。
LSBキャリアポイントは、11.999.2kHz(上側ﾍﾃﾛﾀﾞｲﾝでは、USB)
USBキャリアポイントは、11.996.2kHz(上側ﾍﾃﾛﾀﾞｲﾝでは、LSB)
送信時　CWキャリアポイントは、11.997.0kHz

SSB専用機とする場合は、キャリア周波数は、常に、11.999.2kHz、または11.996.2kHz 固定なので、T11コア調整により、この周波数に合わせる。
　T11コアの下流の1SV231へのTXB+電源供給は不要なので、そのﾊﾟﾀｰﾝはカットする。（あるいは、1SV231を取り付けない）

高い周波数の11.999.2kHzの場合は、T11は切り離し、2SC1815のベースの左図では黒点のポイントに、20pF程度のTCを接続し、周波数合わせをする。

CW送信機では；受信時11.996.2kHz、送信時11.997.0kHzの周波数シフトが必要なので、1SV231への荷電(+12V)あり、なし(GND)、で、この700Hzシフトを行う。
1SV231の容量は　8pF(+12V)〜 70pF(0V)の変化をするので、この変化で　700Hzシフトするように、TC2 20pFを調整する。20pFで不足する場合は、並列に10pFｾﾗｺﾝを追加する。　

RF終段　RD00HVS1 単段での入出力特性は、左表のとおり。

出力段のコアに、小さく低インダクタンスの FB101x2個を使ったことから、低域(3.5M)よりも　高域(50MHz)で出力が大きく得られる。
　それにしても、3.5M〜50Mの広範囲に亘り、一定の出力を出せる　このRDシリーズのFETは素晴らしい。

出力段のコアの設計について
ちょっと特殊な　バイファイラ巻きとしている。B+でパスコン接地の端子を　コールドエンドとし、RD00のドレインを　ホットエンドとすると、その途中に50Ω出力端子タップがある。
このコアは、コールドエンド側より、3t:5t となり、ｲﾝﾋﾟｰﾀﾞﾝｽ比は、タップ比の二乗なので、9:25=50Ω:139Ω　となる。Zo=139Ω

このとき、RD00HVS1で出せる　計算上の最大出力Poは、
Po=(Vdd-1)^2 /(2x Zo)　　　∵Vdd=B+電圧、Zo=ﾄﾞﾚｲﾝｲﾝﾋﾟｰﾀﾞﾝｽ=139Ω　Vddから引いている1は、FET On抵抗による電圧降下分(損失分　1V程度)
　∴Po=(13.5-1)^2 /(2x 139) =0.562 W

これで　RD00HVS1の持てる能力の最大パワーを引き出せる。